[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201510341774.5 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN106205693B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 林相吾 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/26;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件包括：存储器单元部分，包括主存储单元和冗余存储单元；页缓冲器电路，包括多个页缓冲器组并读取储存在存储器单元部分中的数据；以及感测电路，包括分别对应于所述多个页缓冲器组的多个感测放大器，且适用于感测读取数据，其中所述多个感测放大器并行地执行数据感测操作以感测读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：主感测放大器电路，适用于：响应于具有第一周期的第一选通信号来感测耦接到主单元区的主数据线的第一电势，并将所述第一电势输出到全局数据线；以及冗余感测放大器电路，适用于：响应于具有第二周期的第二选通信号来感测耦接到冗余单元区的冗余数据线的第二电势，并将所述第二电势输出到所述全局数据线，其中，所述第二周期比所述第一周期更短。
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