[发明专利]一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法有效

专利信息
申请号: 201510342233.4 申请日: 2015-06-18
公开(公告)号: CN104894422B 公开(公告)日: 2017-04-05
发明(设计)人: 刘光华;陈克新;李江涛 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C22C1/05 分类号: C22C1/05
代理公司: 北京正理专利代理有限公司11257 代理人: 张文祎
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法,其包括如下步骤1)将Cu、Sn和Se粉末混合均匀并压制成反应物坯体,然后置于燃烧容器中;2)将步骤1)所述燃烧容器置于反应设备中,并使燃烧容器高速旋转;3)转速在1500‑3000转/分时,点燃反应物。本发明的方法能够快速制备气孔率≤1%的致密Cu2SnSe3块体材料,纯度高,不含有除Cu2SnSe3之外的杂质。本发明通过燃烧反应加旋转,直接一步就得到致密块体,不需要后续烧结。
搜索关键词: 一种 cu2snse3 热电 材料 快速 制备 方法
【主权项】:
一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)将Cu、Sn和Se粉末混合均匀并压制成反应物坯体,然后置于燃烧容器中;2)将步骤1)所述燃烧容器置于反应设备中,并使燃烧容器高速旋转;3)转速在1500‑3000转/分时,点燃反应物。
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