[发明专利]一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法有效
申请号: | 201510342233.4 | 申请日: | 2015-06-18 |
公开(公告)号: | CN104894422B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 刘光华;陈克新;李江涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人: | 张文祎 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法,其包括如下步骤1)将Cu、Sn和Se粉末混合均匀并压制成反应物坯体,然后置于燃烧容器中;2)将步骤1)所述燃烧容器置于反应设备中,并使燃烧容器高速旋转;3)转速在1500‑3000转/分时,点燃反应物。本发明的方法能够快速制备气孔率≤1%的致密Cu2SnSe3块体材料,纯度高,不含有除Cu2SnSe3之外的杂质。本发明通过燃烧反应加旋转,直接一步就得到致密块体,不需要后续烧结。 | ||
搜索关键词: | 一种 cu2snse3 热电 材料 快速 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)将Cu、Sn和Se粉末混合均匀并压制成反应物坯体,然后置于燃烧容器中;2)将步骤1)所述燃烧容器置于反应设备中,并使燃烧容器高速旋转;3)转速在1500‑3000转/分时,点燃反应物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所,未经中国科学院理化技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510342233.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种超极细硅铝扁丝带及其制备方法
- 下一篇:一种细化铝合金的方法
- 一种高性能Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>热电材料及其快速制备方法
- 一种光电化学太阳能电池用Cu<sub>3</sub>SnS<sub>4</sub>/Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>3</sub>复合光阴极及其制备方法
- 一种Cu2SnSe3热电材料的制备方法
- 一种Cu2SnSe3热电材料的快速制备方法
- 一种CZTSSe薄膜太阳电池吸收层的制备方法
- 一种适用于Cu2SnSe3基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺
- 一种Cu-Te纳米晶/Cu<base:Sub>2
- 一种热电材料及其制备方法
- Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用
- Ag掺杂Cu<base:Sub>2