[发明专利]降低杂质浓度的方法、半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201510343679.9 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105321809B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/324;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及降低杂质浓度的方法、半导体器件及制造其的方法。一种降低半导体本体中的杂质浓度的方法包括利用粒子通过半导体本体的第一侧照射半导体本体。所述方法还包括在介于450℃到1200℃之间的温度范围内的热处理期间通过外扩散从半导体本体的被照射部分移除杂质中的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 杂质 浓度 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种降低半导体本体中的杂质浓度的方法，所述方法包括：利用粒子通过所述半导体本体的第一侧照射所述半导体本体；以及在照射所述半导体本体之后，通过在介于700℃到1200℃之间的温度范围内的热处理造成的外扩散从所述半导体本体的被照射部分移除杂质浓度中的至少一部分，其中所述第一侧与被照射部分的底侧之间的垂直距离在10μm与200μm之间变动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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