[发明专利]一种可增强光反射柔性薄膜的制造方法

摘要

一种可增强光反射柔性薄膜的制造方法，先制备干法刻蚀所需要的金属掩蔽层，然后通过调控刻蚀参数制备倒锥柱阵列硅模具，最后翻模制备倒锥孔阵列柔性薄膜，将疏水处理过的倒锥柱阵列硅模具固定在衬底上，将垫层固定在倒锥柱阵列硅模具的两侧，用聚合物完全涂覆在倒锥柱阵列硅模具表面，然后真空处理去除聚合物中夹杂的气泡；再使用压板挤压聚合物，然后将压板、聚合物、垫层、倒锥柱阵列硅模具、衬底整个加热，使聚合物固化；再分离聚合物和倒锥柱阵列硅模具，获得聚合物倒锥孔阵列柔性薄膜，聚合物倒锥孔阵列柔性薄膜具有优良的弹性性能，通过施加外力驱使其变形实现反射率的调控；通过多层叠加或不同顺序的组合实现薄膜反射率的调控。

主权项

一种可增强光反射柔性薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制备干法刻蚀所需要的掩蔽层，通过光刻工艺在准备干净的单晶硅片表面实现光刻胶的图形化；再通过溅射或蒸镀工艺在有光刻胶图形化的单晶硅片表面制备一层厚度为200～1000纳米的薄膜；然后通过剥离工艺获取薄膜的图形化，以形成干法刻蚀所需要的掩蔽层；2)制备倒锥柱阵列硅模具，将具有掩蔽层的单晶硅片放入干法刻蚀机，在刻蚀过程中通过调控刻蚀参数制备单晶硅片倒锥柱阵列硅模具，刻蚀参数为：功率105～150W，反射功率1～4W，偏压300～320V，刻蚀过程SF₆流量90～99.8sccm，C₄F₈流量2.4～5.5sccm；边壁钝化过程SF₆流量2.3～6.2sccm，C₄F₈流量85～96.9sccm；刻蚀与钝化转换周期为15～30秒；然后去除掩蔽层，获取倒锥柱阵列硅模具；3)翻模制备倒锥孔阵列柔性薄膜，首先，将疏水处理过的单晶硅片倒锥柱阵列硅模具固定在平坦的衬底上，然后，将垫层固定在单晶硅片倒锥柱阵列硅模具的两侧；再用聚合物完全涂覆在单晶硅片倒锥柱阵列硅模具表面，且聚合物厚度高于垫层2～5毫米，然后真空处理去除聚合物中夹杂的气泡；再使用压板挤压聚合物，施加在压板上的载荷为50～120Kg，保持15～30秒；然后将压板、聚合物、垫层、倒锥柱阵列硅模具、衬底整个加热，加热温度为50～90℃，保持30～60分钟使聚合物固化；再分离聚合物和倒锥柱阵列硅模具，获得聚合物倒锥孔阵列柔性薄膜。