[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置

摘要

半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置。本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有源区和用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽；形成覆盖所述沟槽底部和侧壁以及有源区靠近所述沟槽顶部边缘部分的氧化衬层；采用绝缘材料填充所述沟槽以形成所述浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极堆栈；形成栅极之间或栅极与源/漏极之间的局部互连，其中，所述氧化衬层在所述沟槽顶部边缘、以及有源区靠近所述沟槽顶部边缘部分的厚度大于在所述沟槽底部和侧壁部分的厚度。本发明提出的半导体器件的制作方法，不会在沟槽顶部边缘部分出现缺角，因而在后续形成局部互连避免了结泄漏。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有源区和用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽；形成覆盖所述沟槽底部和侧壁以及有源区靠近所述沟槽顶部边缘部分的氧化衬层；采用绝缘材料填充所述沟槽以形成所述浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极堆栈；形成栅极之间或栅极与源/漏极之间的局部互连，其中，所述氧化衬层在所述沟槽顶部边缘、以及有源区靠近所述沟槽顶部边缘部分的厚度大于在所述沟槽底部和侧壁部分的厚度。