[发明专利]离子注入的测量方法有效

专利信息
申请号: 201510345847.8 申请日: 2015-06-18
公开(公告)号: CN106324654B 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 肖志强 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G01T1/29 分类号: G01T1/29;H01J37/317
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种离子注入的测量方法,包括:提供离子注入系统,在离子注入系统的离子束输出端设置有至少一组堆叠法拉第杯;使用堆叠法拉第杯在垂直于离子束入射方向的第一平面上进行第一二维离子束分布测量,以获得第一平面上的离子束分布的第一质心点;在垂直于离子束入射方向的第二平面确定离子束分布的第一质心点的投影点,其中第二平面与第一平面具有沿离子束入射方向的第一距离;使用堆叠法拉第杯在第二平面上进行第二二维离子束分布测量,以获得第二平面上的离子束分布的第二质心点;根据第一质心点的投影点与第二质心点的位置和第一距离计算所述离子束的入射角度。本发明提供的离子注入的测量方法能够在对离子束的入射角度进行测量的同时给出水平和竖直方向的离子束入射角度,有利于简化测量过程,并更加精确地测量离子注入特性。
搜索关键词: 离子 注入 测量方法
【主权项】:
1.一种离子注入的测量方法,包括:步骤1:提供离子注入系统,在所述离子注入系统的离子束输出端设置有至少一组堆叠法拉第杯;步骤2:使用所述堆叠法拉第杯在垂直于所述离子束入射方向的第一平面上进行第一二维离子束分布测量,以获得所述第一平面上的离子束分布的第一质心点;步骤3:在垂直于所述离子束入射方向的第二平面确定所述离子束分布的所述第一质心点的投影点,其中所述第二平面与所述第一平面具有沿离子束入射方向的第一距离;步骤4:使用所述堆叠法拉第杯在所述第二平面上进行第二二维离子束分布测量,以获得所述第二平面上的离子束分布的第二质心点;步骤5:根据所述第一质心点的投影点与所述第二质心点的位置和所述第一距离计算所述离子束的入射角度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510345847.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top