[发明专利]一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法

摘要

本发明公开了一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法，包括对硅片进行三氯氧磷扩散形成P‑N结结构；去除硅片背面及侧面的P‑N结结构；在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极，并在硅片背面形成铝背电极层；在金属栅线电极之上及未被金属栅线电极覆盖的硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构，以氯化铯纳米圆岛结构为掩膜刻蚀硅片，将氯化铯纳米圆岛结构转移到硅表面上，去除氯化铯纳米圆岛结构，在未被金属栅线电极覆盖的硅片表面获得硅纳米柱状结构；高温烧结，使金属栅线电极与硅片形成欧姆接触。本发明相对于常规方法减少了紫外光刻及套刻等步骤，工艺程序简单很多，成本随之降低，工艺难度也有所降低，更加适合工业生产。

主权项

一种制作选择性纳米织构化硅光电池的方法，其特征在于，该选择性纳米织构化硅光电池是仅在除金属栅线电极以外区域的硅片被纳米织构化，在金属栅线电极覆盖下的硅片保持完好硅结构，没有刻蚀纳米柱阵列；该方法包括：步骤1：对硅片进行三氯氧磷扩散，在硅片正面、背面及侧面形成P‑N结结构；步骤2：去除硅片背面及侧面的P‑N结结构，并去除硅片正面的二氧化硅层；步骤3：在硅片正面蒸镀钛银层形成金属栅线电极，并在硅片背面形成铝背电极层；步骤4：在形成有金属栅线电极的硅片表面生长氯化铯薄膜，显影后在金属栅线电极之上及未被金属栅线电极覆盖的硅片表面形成氯化铯纳米圆岛结构，然后以氯化铯纳米圆岛结构为掩膜刻蚀硅片，将氯化铯纳米圆岛结构转移到硅表面上，去除氯化铯纳米圆岛结构，在未被金属栅线电极覆盖的硅片表面获得硅纳米柱状结构；步骤5：高温烧结，使金属栅线电极与硅片形成欧姆接触。