[发明专利]VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件

摘要

本发明公开了一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，其中VDMOS器件包括：基底、凹槽、体区，其中，凹槽形成基底内，体区形成在基底内，体区与凹槽相邻，体区包括第一子区部和第二子区部，第二子区部的深度大于第一子区部的深度第一子区部贴设于凹槽两侧，第二子区部与凹槽间隔预设距离，预设距离的宽度与第一子区部的宽度相等。本发明的VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件，第二子区部的深度大于第一子区部的深度，因此在对器件外加反偏电压时，形成的耗尽层可以抵消沟槽间形成的电场集中，从而提高了器件的击穿电压。

主权项

1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：在基底中形成凹槽；在所述凹槽中形成多晶硅层，所述多晶硅层包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第二多晶硅层位于所述第一多晶硅层上方且所述第二多晶硅层的下表面与所述基底的上表面齐平；在所述基底上形成侧墙，所述侧墙贴设于所述第二多晶硅层的两侧；以所述第二多晶硅层和所述侧墙为掩膜，进行第一次离子注入，在所述基底的内部形成第一体区；去除所述第二多晶硅层和所述侧墙；对所述基底进行第二次离子注入，形成第二体区，所述第二体区包括相邻的第一子区部和第二子区部，所述第一子区部与所述凹槽相邻，所述第二子区部的深度大于所述第一子区部的深度。