[发明专利]一种硅基调制器偏置点控制装置有效
申请号: | 201510346404.0 | 申请日: | 2015-06-19 |
公开(公告)号: | CN106257636B | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 尚冬冬 | 申请(专利权)人: | 南京中兴新软件有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/01 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 210012 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种硅基调制器偏置点控制装置,包括第一相位控制器,根据接入的电压来控制向所述第一微环结构施加的温度;第二相位控制器,根据接入的电压来控制向所述第二微环结构施加的温度;第一耦合器,第二耦合器,第三耦合器,将接收到的光耦合输出给光电探测器;所述光电探测器,用于检测接收到的光的光平均功率;采集模块,采集所述光电探测器所检测的光平均功率,输出给处理模块;所述处理模块,记录所述光平均功率,将上次记录的光平均功率与本次记录的光平均功率进行比较,根据比较结果控制接入所述第一相位控制器或所述第二相位控制器的电压。本发明能够节省硅基芯片的面积,实现平衡检测,结构简单。 | ||
搜索关键词: | 一种 基调 偏置 控制 装置 | ||
【主权项】:
一种硅基调制器偏置点控制装置,适用于一种硅基调制器,所述硅基调制器包括:光路选择器、第一组波导、第二组波导和光耦合器,其中,所述光路选择器,用于接收输入光,在电信号的控制下,控制光输入到第一组波导或者输入到第二组波导;所述第一组波导和所述第二组波导,一端与所述光路选择器连接,另一端连接所述光耦合器,所述第一组波导或所述第二组波导将光输出给所述光耦合器,由所述光耦合器耦合输出,所述第一组波导和所述第二组波导的光程不相等,且其光程差与待获得的相位差相应;所述第一组波导包括两条长度相等且输出光场相位相同的第一波导和第四波导,所述第一波导和所述第四波导组成MZ结构,所述第二组波导包括两条长度相等且输出光场相位相同的第二波导和第三波导,所述第二波导和所述第三波导组成MZ结构,所述第一组波导和所述第二组波导的长度不相等,且长度差与所述光程差对应,所述第一组波导与所述第二组波导输出光场相位相反,所述光路选择器包括第一微环结构和第二微环结构,所述第一微环结构的上行端与所述第一波导连接,所述第一微环结构的下行端与所述第二波导连接,所述第二微环结构的上行端与所述第三波导连接,所述第二微环结构的下行端与所述第四波导连接,所述硅基调制器偏置点控制装置包括:第一相位控制器,根据接入的电压来控制向所述第一微环结构施加的温度;第二相位控制器,根据接入的电压来控制向所述第二微环结构施加的温度;第一耦合器,接入所述第一波导,从所述第一波导中分出一部分光输入第三耦合器;第二耦合器,接入所述第三波导,从所述第三波导中分出一部分光输入所述第三耦合器;所述第三耦合器,将接收到的光耦合输出给光电探测器;所述光电探测器,用于检测接收到的光的光平均功率;采集模块,采集所述光电探测器所检测的光平均功率,输出给处理模块;所述处理模块,记录所述光平均功率,将上次记录的光平均功率与本次记录的光平均功率进行比较,根据比较结果控制接入所述第一相位控制器或所述第二相位控制器的电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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