[发明专利]碳化硅非球面反射镜加工与改性一体化的制备方法有效
申请号: | 201510346877.0 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105002466B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 王晋峰;王烨儒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/04;G02B5/08;G02B1/10;G02B1/00 |
代理公司: | 江苏致邦律师事务所32230 | 代理人: | 栗仲平 |
地址: | 210042 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 碳化硅非球面反射镜加工与改性一体化的制备方法,其特征在于,步骤如下⑴. 真空蒸镀材料膜厚分布的确定;⑵. 蒸镀非球面膜厚分布的推导;⑶. 掩膜板形状的确定;⑷. 在设置好步骤⑶确定的掩膜板以后,利用真空蒸发镀膜技术蒸镀改性材料到碳化硅起始球面之上,以实现碳化硅非球面的初步成型;⑸. 对致密改性层进行光学精密抛光,最终得到改性后的碳化硅非球面反射镜。本发明可用于大口径非球面的加工,蒸镀材料可以根据光学元件的性质进行选择。由于在碳化硅非球面成型与改性后还要进行光学精密抛光,因此可以获得高精度低粗糙度的碳化硅非球面元件。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 球面 反射 加工 改性 一体化 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳化硅非球面反射镜加工与改性一体化的制备方法,其特征在于,步骤如下:(1).真空蒸镀材料膜厚分布的确定;⑵.蒸镀非球面膜厚分布的推导;(3).掩膜板形状的确定;⑷.在设置好步骤(3)确定的掩膜板以后,利用真空蒸发镀膜技术蒸镀改性材料到碳化硅起始球面之上,以实现碳化硅非球面的初步成型;⑸.对致密改性层进行光学精密抛光,最终得到改性后的碳化硅非球面反射镜;步骤(1)所述的“真空蒸镀材料膜厚分布的确定”,其具体操作方法是:基板上某一点P的膜厚表示为:tp=Ccosnφ·cosθr2---(1.1)]]>其中C是常数,r是P点到蒸发源的距离,φ是蒸发源表面法线与P点和蒸发源连线的夹角,cosnφ用来描述蒸发源的蒸汽发射特性,θ是P点法线与P点和蒸发源连线的夹角;真空蒸镀材料膜厚分布表示为:<tp><t0>=∫0πCcosnφ·cosθr2d(ωt)∫0πCcosnφ0·cosθ0r02d(ωt);]]>步骤⑵所述的“蒸镀非球面膜厚分布的推导”,是采用以下两种方式之一:a.为以顶点曲率中心为球心的球面做为蒸镀起始球面;b.为以最接近比较球面为蒸镀起始球面;其具体操作方法是:设x表示非球面的旋转对称轴,y表示入射光线在非球面上的高度,则轴对称非球面的子午截面曲线可表示为:y非2=a1x+a2x2+a3x3,基础球面可表示为:y球2=2Rx‑x2,蒸镀非球面膜厚分布:d(y)=x(非)‑x(球);步骤(3)所述的掩膜板形状的确定中,使用掩膜板时的膜厚tm(y),无掩膜板时的膜厚tn(y),对于给定的y值其关系可表示为:tm(y)=tn(y)[1-M(EF)2πy];]]>其中tm(y)为球面与所需非球面的厚度差分布;tn(y)为未使用掩膜板时在基础球面上的蒸镀膜厚分布;可得掩膜板形状表示式:M(EF)=2πy[1-tm(r)tn(y)].]]>
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