[发明专利]一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器

摘要

本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅绝缘层和淀积一层多晶硅栅氧化层。源区的面积大于漏区的面积。该新型太赫兹传感器通过栅电压控制隧穿结处的势垒宽度使源区电子通过隧穿到达沟道区的导带，完成器件开启。利用开启电流与栅电压之间存在非线性关系，可以实现将高频频率信号整流；基于隧穿晶体管结构的新型太赫兹传感器的响应高，等效噪声功率低，更好的满足高频应用中的需求。

主权项

1.一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，其特征在于，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅绝缘层和淀积一层多晶硅栅氧化层；源区的面积大于漏区的面积；隧穿晶体管的源区延伸至整个多晶硅栅氧化层正下方；衬底延伸至栅氧化层下方且隔开源区与漏区；P+型源区(102)和N+型漏区(103)，在源区(102)和衬底(101)上生长二氧化硅绝缘层(104)和多晶硅栅层(105)；源区(102)、栅氧化层(104)和多晶硅栅(105)之间形成MOS结构；当在栅极(105)上施加反型偏压Vg后、源端和衬底接地，栅氧化层(104)正下方的源区(102)反型层；该反型层和源区(102)界面形成PN结。