[发明专利]真空共晶焊的芯片定位夹具、制造方法及芯片转运方法有效
申请号: | 201510348147.4 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN104900575B | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 周义;刘米丰;曹向荣;符容 | 申请(专利权)人: | 上海航天电子通讯设备研究所 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/683 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200082 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种真空共晶焊的定位夹具、制造方法及芯片转运方法,该定位夹具包括衬底、支撑台阶及限位台阶,衬底上设置有吸附孔,支撑台阶用于支撑芯片,限位台阶用于对芯片进行限位。该制造方法包括:在衬底表面形成支撑台阶;在支撑台阶表面形成限位台阶;在衬底中心位置加工出吸附孔。该芯片转运方法包括:吸头吸住芯片定位夹具;吸头通过吸附孔将芯片吸附在芯片定位夹具的限位台阶中;将芯片移动到封装盒中的合适位置;拆除吸头,安装压力杆。本发明的定位夹具、制造方法及芯片转运方法简化了芯片转运过程,节省了工艺时间,减小了芯片转运中的位置公差,提高了位置精度。 | ||
搜索关键词: | 真空 共晶焊 芯片 定位 夹具 制造 方法 转运 | ||
【主权项】:
1.一种真空共晶焊的芯片定位夹具,其特征在于,包括:衬底、支撑台阶以及限位台阶,其中:所述衬底上设置有吸附孔,用于吸附所述芯片;所述支撑台阶位于所述衬底的表面区域,用于支撑所述芯片;所述限位台阶位于所述支撑台阶的背离所述衬底的表面区域,用于限制所述芯片的运动;所述支撑台阶包括第一部分和第二部分,其中:所述第一部分为围绕所述衬底四周的第一边框;所述第二部分为位于所述第一部分内的孤岛,所述孤岛的厚度与所述第一边框的厚度一致;所述限位台阶为围绕所述衬底四周的第二边框,所述第二边框的厚度与所述芯片的厚度一致;所述第二边框的外边框与所述第一边框的外边框对齐,所述第二边框的内边框与所述芯片的尺寸一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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