[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201510348580.8 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106328686B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 陈永初;吴星志 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件，包括：基底、具有第一导电型的阱区、具有第二导电型的场区、具有第一导电型的第一掺杂区以及具有第二导电型的第二掺杂区。阱区位于基底中。场区位于阱区中。第一掺杂区位于场区的第一侧的阱区中。第二掺杂区位于该场区中，其中第二掺杂区至少部分环绕第一掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：具有一第一导电型的一阱区，位于一基底中；具有一第二导电型的一场区，位于该阱区中；具有该第一导电型的一第一掺杂区，位于该场区的一第一侧的该阱区中；具有该第一导电型的一第三掺杂区，位于该场区的一第二侧的该阱区中，其中该场区位于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间；以及具有该第二导电型的一第二掺杂区，该第二掺杂区位于该第一掺杂区与该第三掺杂区之间，且位于该场区中，其中该第二掺杂区至少部分环绕该第一掺杂区，且该第二掺杂区为栅极。
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