[发明专利]带电平自举和电荷泵电路的双N-MOSFET推动级的IGBT驱动电路及时序控制方法

摘要

本发明公开了一种带电平自举和电荷泵电路的双N-MOSFET推动级的IGBT驱动电路及时序控制方法，驱动电路包括自举电路、电荷泵电路、双N-MOSFET半桥推动级电路和短路保护电路；其中，所述自举电路包括电平自举电路、自举电容C_boot及自举二极管D1；电荷泵电路包括自激振荡电路和二极管D2；双N-MOSFET半桥推动级电路由上端N-MOSFET开关管S1与下端N-MOSFET开关管S2串联构成；短路保护支路由电阻R_soft与N-MOSFET开关管S3构成。本发明降低了整个驱动器电路的损耗且降低了电路成本；短路保护电路可准确控制IGBT短路故障时电流下降速率，降低IGBT关断尖峰电压。

主权项

一种带电平自举和电荷泵电路的双N‑MOSFET推动级的IGBT驱动电路，其特征在于，包括自举电路(1)、电荷泵电路(2)、双N‑MOSFET半桥推动级电路(3)和短路保护电路(4)。