[发明专利]一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管及其制备方法在审
申请号: | 201510348850.5 | 申请日: | 2015-06-16 |
公开(公告)号: | CN106328811A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 钱宏昌;唐莹;郑亚开;马力超;彭应全 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/40;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供的一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管,其结构如图1所示,由图可知该有机场效应晶体管为底栅顶接触式,包括源电极(1)、漏电极(2)、有机半导体层(3)、绝缘层(4)、栅电极(5)和衬底(6);该传感器中,构成衬底的材料为硅;构成栅电极的材料为金属金;构成绝缘层的材料为二氧化硅;构成有机半导体层的材料为并五苯;构成源电极和漏电极的材料为金属金。绝缘层采用中空结构,形成横梁,有机半导体层覆盖于横梁上方,当有机场效应晶体管受到震动影响时有机半导体层和绝缘层界面处发生变化,有机场效应晶体管载迁移率改变。 | ||
搜索关键词: | 一种 机械 结构 震动 传感 有机 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
制备下述一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管,包括如下步骤:1)在衬底上制备栅电极;2)在所述步骤1)得到的电极上涂光刻胶进行光刻,形成保护层;3)在所述步骤2)的保护层上通过化学汽相淀积的方法制备二氧化硅绝缘层;4)将所述步骤3)得到的带有保护层、绝缘层的衬底进行去光刻胶处理,保护层被去除,形成中空结构;5)在所述步骤3)得到的去光刻胶过后的绝缘层上制备有机半导体层;6)制备源电极和漏电极,得到所述一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管;所述一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管,包括衬底(6)、位于所述衬底之上的栅电极(5)和位于所述栅电极之上的绝缘层(4);所述一种机械结构的震动传感有机场效应晶体管还包括位于所述绝缘层之上的有机半导体层(3)以及位于所述有机半导体层之上的源电极(1)、漏电极(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量学院,未经中国计量学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510348850.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一次性编程电阻式存储器
- 下一篇:多辊蔗渣除髓机的除髓装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择