[发明专利]半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510348852.4 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN106257673B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一栅极，所述栅极包括依次并排排列的第一区域、第二区域以及第三区域，所述栅极上依次形成有第一掩膜层和第二掩膜层，所述栅极的部分侧壁形成有侧墙；在所述衬底和栅极的表面制备一多晶硅层；去除所述第一区域和第二区域上的所述多晶硅层，去除所述第一区域上的第二掩膜层，并暴露出所述第一区域上的第一掩膜层；去除所述第一区域上的第一掩膜层；在所述第一区域的上表面形成第一硅化物，并使得所述多晶硅层形成第二硅化物。本发明还公开了一种半导体器件。本发明提供的半导体器件及其制备方法能够有效地减少或避免静态随机存储器的短路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有至少一栅极，所述栅极包括依次并排排列的第一区域、第二区域以及第三区域，所述栅极上依次形成有第一掩膜层和第二掩膜层，所述栅极的部分侧壁形成有侧墙；在所述衬底和栅极的表面制备一多晶硅层；对所述多晶硅层和第二掩膜层进行刻蚀，去除所述第一区域和第二区域上的所述多晶硅层，去除所述第一区域上的第二掩膜层，并暴露出所述第一区域上的第一掩膜层；去除所述第一区域上的第一掩膜层；以及在所述第一区域的上表面形成第一硅化物，并使得所述多晶硅层形成第二硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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