[发明专利]在发光半导体元件上提供一图案化光学透明或半透明导电层的方法及装置有效
申请号: | 201510349167.3 | 申请日: | 2009-12-11 |
公开(公告)号: | CN105047782B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 陶德·法摩;史帝夫·莱斯特 | 申请(专利权)人: | 阿尔发得株式会社 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/42 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张伟;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及在发光半导体元件上提供一图案化光学透明或半透明导电层的方法及装置。特别是,本发明公开了一种利用光学透明或半透明导电层来提高整体光输出的发光二极管(“LED”)。该设备包括第一导电层、活性层、第二导电层、光学透明或半透明导电层和电极。在一个实施方式中,光学透明或半透明导电层具有第一表面和第二表面,其中,第一表面覆盖第二导电层。第二表面包括包含厚区域和用于促进光穿过的薄区域的图案。 | ||
搜索关键词: | 发光 半导体 元件 提供 图案 光学 透明 半透明 导电 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体设备,包括:第一导电层,其沉积在基板上;活性层,其沉积在所述第一导电层上并且被构成为将电能转换成光;第二导电层,其具有覆盖在所述活性层上的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;铟锡氧化物层,其具有第一表面和第二表面,所述铟锡氧化物层用于将电流扩布在所述第二导电层的所述第二表面上,其中所述铟锡氧化物层的所述第一表面直接或间接覆盖在所述第二导电层的所述第二表面上,其中,所述铟锡氧化物层的所述第二表面包括具有多个厚区域和多个薄区域的图案;第一电极,其电耦接到所述铟锡氧化物层的所述第二表面,所述第一电极完全地形成在位于所述铟锡氧化物层的边缘处的所述铟锡氧化物层的所述薄区域上,并且所述第一电极接触所述厚区域的侧表面;以及第二电极,其电耦接到所述第一导电层,其中在俯视图中,所述多个厚区域包括从所述第一电极延伸的多个第一区域和均从所述第一区域延伸的多个第二区域,并且从所述多个第一区域中的一个第一区域延伸的第二区域朝向两个相邻的第二区域之间延伸,其中所述两个相邻的第二区域是从与所述多个第一区域中的所述一个第一区域相邻的所述多个第一区域中的另一第一区域延伸的。
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