[发明专利]分解绝缘体上半导体型结构的外周环中的氧化物层的方法在审
| 申请号： | 201510349206.X | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105006448A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | D·朗德吕;F·格里蒂;E·吉奥特;O·科农丘克;C·韦蒂祖 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种分解绝缘体上半导体型结构的外周环中的氧化物层的方法。本发明提供了一种处理绝缘体上半导体型结构的方法，所述结构接连包括载体衬底、氧化物层(2)和半导体材料的薄层(3)，所述结构具有露出所述氧化物层(2)的外周环，所述方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理。所述方法在所述主要热处理之前包括覆盖至少所述氧化物层(2)的暴露外周部分的步骤，所述主要热处理是在受控的时间和温度条件下进行的，以便促进所述氧化物层(2)的至少一部分氧通过薄半导体层(3)扩散，导致所述氧化物层(2)的厚度的受控降低。 | ||
| 搜索关键词： | 分解 绝缘体 上半 导体 结构 环中 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
一种处理绝缘体上半导体型结构的方法，所述结构连续包括载体衬底(1)、氧化物层(2)和半导体材料的薄层(3)，所述结构具有露出所述氧化物层(2)的外周环，所述方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理，其特征在于，所述方法在所述主要热处理之前包括通过至少在埋入氧化物的暴露外周部分和半导体层(3)的外周部分上形成掩模来覆盖至少所述氧化物层(2)的暴露外周部分的步骤，所述主要热处理是在受控的时间和温度条件下进行的，以便促进所述氧化物层(2)的至少一部分氧通过薄半导体层(3)扩散，从而导致所述氧化物层(2)的厚度的受控降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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