[发明专利]一种具有三维堆栈/壕沟复合结构的集成能量采集存储器有效
申请号: | 201510349262.3 | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN104900661B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 陈远宁;戴征武;章伟聪 | 申请(专利权)人: | 宁波微能物联科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 李媛媛 |
地址: | 315800 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有三维堆栈/壕沟复合结构的集成能量采集存储器,其将能量采集存储器集成在具有PN结的衬底上。其中,PN结的P型半导体区和N型半导体区分别连接有金属电极,作为能量采集器;在与PN结相反一面的衬底上,设置有三维堆栈/壕沟复合结构,作为能量存储器;所述复合结构具体为:在衬底上先设置三维壕沟结构,然后在具有壕沟结构的衬底上交替沉积金属层和介质层,形成多个并联的电容器,最后顶部为金属层并填满壕沟和覆盖住衬底表面,顶部金属层与底部金属层分别连接有金属电极。本发明的三维结构设计能提高存储器容量、降低成本、缩小体积;并且其制备工艺流程简单,能与低成本集成电路工艺兼容。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 三维 堆栈 壕沟 复合 结构 集成 能量 采集 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种具有三维堆栈/壕沟复合结构的集成能量采集存储器,其特征在于,能量采集存储器集成在具有PN结的衬底上,其中,PN结的P型半导体区和N型半导体区分别连接有金属电极,作为能量采集器;在与PN结相反一面的衬底上,设置有三维堆栈/壕沟复合结构,作为能量存储器;所述复合结构具体为:在衬底上先设置三维壕沟结构,然后在具有壕沟结构的衬底上交替沉积金属层和介质层,形成多个并联的电容器,最后顶部为金属层并填满壕沟和覆盖住衬底表面,顶部金属层与底部金属层分别连接有金属电极;所述能量采集器的表面或者能量存储器的表面或者这两个器件的表面上设有保护层,且金属电极凸出于保护层的表面;所述保护层表面还制备有射频能量采集天线;所述射频能量采集天线包括非闭合的钩状结构的射频能量采集单元,以采集光能量和/或射频能量,所述非闭合的钩状结构包括直线部分和钩子部分,其中直线部分的宽度小于钩子部分的宽度,钩子部分的开口面积小于闭合面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波微能物联科技有限公司,未经宁波微能物联科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510349262.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种台面晶闸管及其制备方法
- 下一篇:一种用于安装电阻绕线机的机箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的