[发明专利]一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510349432.8 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106299111B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;屠海令;魏峰;杨志民;陈博昊 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法。该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底；(2)采用物理气相沉积法形成底电极；(3)采用磁控溅射法沉积初始低阻态存储功能层；(4)采用物理气相沉积法形成中间电极；(5)采用原子层沉积法形成初始高阻态存储功能层；(6)采用物理气相沉积法形成顶电极。本发明的阻变存储器具有免电激活特性，适用于具有交叉阵列结构的3维高密度集成的阻变存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激活 互补 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种免电激活互补阻变存储器，其特征在于，该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极；所述初始低阻态存储功能层材料为稀土氧化物材料，初始高阻态存储功能层材料为过渡金属氧化物材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院，未经北京有色金属研究总院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510349432.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
