[发明专利]晶圆中氧沉淀的检测方法有效
| 申请号： | 201510349911.X | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN106328549B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆中氧沉淀的检测方法，其通过将正常晶圆和待检测晶圆置于相同条件的氮气或者惰性气体氛围中，并对所述正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的先升温后降温操作向正常晶圆和待检测晶圆注入大量空位；通过对所述正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的碳离子注入工艺使得氧沉淀快速长大，形成含碳的较大颗粒的氧沉淀；通过对碳离子注入工艺后的正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的择优腐蚀使得氧沉淀作为缺陷暴露出来，从而通过比较择优腐蚀后的正常晶圆和待检测晶圆表面的缺陷情况即可判定出待检测晶圆中的氧沉淀是否过量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆中氧 沉淀 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆中氧沉淀的检测方法，其特征在于，包括：取正常晶圆和待检测晶圆，将所述正常晶圆和待检测晶圆置于相同条件的氮气或者惰性气体氛围中，并对所述正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的先升温后降温操作；对所述正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的碳离子注入工艺；对碳离子注入工艺后的正常晶圆和待检测晶圆执行相同条件的择优腐蚀；比较择优腐蚀后的正常晶圆和待检测晶圆，根据择优腐蚀后的正常晶圆和待检测晶圆表面的缺陷情况，判定待检测晶圆中的氧沉淀是否过量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
