[发明专利]串联晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种串联晶体管结构，包括：第一源极、第一沟道‑漏极结构、第二沟道‑漏极结构、栅极介电层、栅极、第一漏极焊盘和第二漏极焊盘。第一源极位于衬底上方。第一沟道‑漏极结构位于第一源极上方并且包括第一源极上方的第一沟道和第一漏极。第二沟道‑漏极结构位于第一源极上方，并且基本平行于第一沟道‑漏极结构，并且包括第一源极上方的第二沟道和第二漏极。栅极介电层围绕第一沟道和第二沟道。栅极围绕栅极介电层。第一漏极焊盘位于第一漏极上方并与第一漏极接触。第二漏极焊盘位于第二漏极上方并与第二漏极接触，其中，第一漏极焊盘和第二漏极焊盘彼此分离。本发明还涉及串联晶体管结构及其制造方法。

主权项

1.一种串联晶体管结构，包括：第一源极，位于衬底上方；第一沟道‑漏极结构，位于所述第一源极上方，所述第一沟道‑漏极结构包括第一沟道和位于所述第一沟道上方的第一漏极；第二沟道‑漏极结构，位于所述第一源极上方并且平行于所述第一沟道‑漏极结构，所述第二沟道‑漏极结构包括第二沟道和位于所述第二沟道上方的第二漏极；栅极介电层，围绕所述第一沟道和所述第二沟道；连续的栅极，围绕所述栅极介电层并且位于所述第一沟道‑漏极结构和所述第二沟道‑漏极结构之间；第一漏极焊盘，位于所述第一漏极上方并与所述第一漏极接触；以及第二漏极焊盘，位于所述第二漏极上方并与所述第二漏极接触，其中，所述第一漏极焊盘和所述第二漏极焊盘彼此分离。