[发明专利]半导体装置和显示装置有效
申请号: | 201510350230.5 | 申请日: | 2010-09-10 |
公开(公告)号: | CN105023548B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 木村肇;梅崎敦司 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;陈岚 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明名称为半导体装置和显示装置。本发明的目的就是提供一种具有不容易退化的电路的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置,包括:第一晶体管;第二晶体管;第一开关;第二开关;以及第三开关,其中所述第一晶体管的第一端子连接于第一布线,其第二端子连接于第二布线,所述第二晶体管的栅极及第一端子连接于所述第一布线,其第二端子连接于所述第一晶体管的栅极,所述第一开关连接于所述第二布线和第三布线之间,所述第二开关连接于所述第二布线和所述第三布线之间,并且所述第三开关连接于第一晶体管的栅极和所述第三布线之间。 | ||
搜索关键词: | 布线 晶体管 半导体装置 端子连接 第一开关 开关连接 显示装置 电路 退化 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:第一晶体管到第十晶体管,所述晶体管中的每个具有相同极性;以及第一布线和第二布线,其中所述第一晶体管的源极和漏极其中之一直接连接到所述第二晶体管的源极和漏极其中之一,其中所述第三晶体管的源极和漏极其中之一电连接到所述第四晶体管的源极和漏极其中之一,其中所述第三晶体管的所述源极和所述漏极的所述其中之一电连接到所述第五晶体管的源极和漏极其中之一,其中所述第三晶体管的所述源极和所述漏极的所述其中之一电连接到所述第一晶体管的栅极,其中所述第六晶体管的源极和漏极其中之一电连接到所述第七晶体管的源极和漏极其中之一,其中所述第八晶体管的源极和漏极其中之一电连接到所述第九晶体管的源极和漏极其中之一,其中所述第八晶体管的所述源极和所述漏极的所述其中之一电连接到所述第十晶体管的源极和漏极其中之一,其中所述第八晶体管的所述源极和所述漏极的所述其中之一电连接到所述第六晶体管的栅极,其中所述第八晶体管的所述源极和所述漏极的所述其中之一电连接到所述第二晶体管的栅极,其中所述第八晶体管的所述源极和所述漏极的所述其中之一电连接到所述第五晶体管的栅极,其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极的所述其中之一电连接到所述第七晶体管的栅极,其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极的所述其中之一电连接到所述第九晶体管的栅极,其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第一布线,其中所述第三晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第一布线,其中所述第三晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第三晶体管的所述栅极,其中所述第二晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第二布线,其中所述第四晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第二布线,其中所述第五晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第二布线,其中所述第七晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第二布线,其中所述第九晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第二布线,并且其中所述第十晶体管的所述源极和所述漏极的另一个电连接到所述第二布线。
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