[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201510350801.5 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106328498B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层表面形成第一掩膜材料层；采用聚焦离子束刻蚀工艺刻蚀第一掩膜材料层，在待刻蚀材料层表面形成多个分立的第一掩膜层；在分立的第一掩膜层之间的待刻蚀材料层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层的顶部表面与第一掩膜层的顶部表面齐平；去除第一掩膜层，保留第二掩膜层；对第二掩膜层进行横向回刻蚀，形成第三掩膜层；以第三掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀材料层，形成目标图案。所述半导体器件的形成方法提高了半导体器件中目标图案的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供待刻蚀材料层；/n在待刻蚀材料层表面形成第一掩膜材料层；/n采用聚焦离子束刻蚀工艺刻蚀第一掩膜材料层，在待刻蚀材料层表面形成多个分立的第一掩膜层；/n在分立的第一掩膜层之间的待刻蚀材料层表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层的顶部表面与第一掩膜层的顶部表面齐平；/n去除第一掩膜层，保留第二掩膜层；/n对第二掩膜层进行横向回刻蚀，形成第三掩膜层；/n以第三掩膜层为掩膜刻蚀待刻蚀材料层，形成目标图案；/n采用化学下游刻蚀对所述目标图案进行修复处理；/n所述化学下游刻蚀的工艺参数为：刻蚀气体包括CF
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510350801.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于处理基板的方法和装置
- 下一篇：半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
