[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括：一器件组合板，所述器件组合板包括：一基板；一第一信号线层；一半导体层；以及一第二信号线层；一钝化层，所述钝化层设置在所述器件组合板上，所述钝化层上设置有孔洞和凹槽阵列，所述凹槽阵列包括至少一第一凹槽；一像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层上以及所述凹槽阵列内，所述像素电极层通过所述孔洞与所述第二信号线层连接。本发明能节省薄膜晶体管阵列基板的制作成本以及提高薄膜晶体管阵列基板的制作效率。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：一器件组合板，所述器件组合板包括：一基板；一第一信号线层；一半导体层；以及一第二信号线层；一钝化层，所述钝化层设置在所述器件组合板上，所述钝化层上设置有孔洞和凹槽阵列，所述凹槽阵列包括至少一第一凹槽；一像素电极层，所述像素电极层设置在所述钝化层上以及所述凹槽阵列内，所述像素电极层通过所述孔洞与所述第二信号线层连接；所述像素电极层包括至少两第一部分以及至少两第二部分，所述第一部分覆盖在所述钝化层的表面上，所述第二部分从所述钝化层的表面向所述凹槽阵列中的凹槽弯折并延伸至所述凹槽内，以及从所述凹槽内向所述钝化层的所述表面弯折并延伸至所述钝化层的所述表面，其中，所述第一部分与所述第二部分相连；所述孔洞具有第一深度，所述第一凹槽具有第二深度；形成所述凹槽阵列与所述孔洞的第一光罩制程所对应的第一掩模包括：一第一区域，所述第一区域具有第一开口率，所述第一开口率与所述第一深度对应；至少一第二区域，所述第二区域具有第二开口率，所述第二开口率与所述第二深度对应；所述凹槽阵列还包括至少一第二凹槽，所述第二凹槽具有第三深度；所述第一光罩制程所对应的所述第一掩模还包括：至少一第三区域，所述第三区域具有第三开口率，所述第三开口率与所述第三深度对应；所述凹槽阵列与所述孔洞均是在第一光罩制程中形成的；所述钝化层中的所述第一深度、所述第二深度和所述第三深度是通过利用具有所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的所述第一掩模，对所述钝化层实施所述第一光罩制程，以同时形成所述第一深度、所述第二深度和所述第三深度来形成的，其中，所述第一区域具有所述第一开口率，所述第二区域具有所述第二开口率，所述第三区域具有所述第三开口率，所述第一开口率为100％，所述第二开口率和所述第三开口率分别为66.7％或60％中的一者。