[发明专利]以金属氧化物作为基底的存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510351475.X | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106328593B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 林昱佑;李峰旻 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/268;H01L45/00;H01L27/115;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种以金属氧化物作为基底的存储器元件及其制造方法，尤其是具有以偏压等离子体氧化工艺所制造的金属氧化物为基底的记忆储存材料的存储器元件，此偏压等离子体氧化工艺可改良存储器单元与顶部电极之间的接口，使操作时具有更均匀的电场，可提升元件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 作为 基底 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造一存储单元的方法，包括：形成一层间导体延伸穿过一绝缘层，其中该层间导体的一第一端被耦接至一存取元件的一端点；以及自该层间导体的一第二端形成一存储器单元，包括：一轰击步骤，形成该存储器单元的一截面的一平滑弧形顶端部分；以及一氧化步骤，于该存储器单元中产生多个金属氧化物，其中该金属氧化物包括由一第二材料形成的一第二金属氧化物层，该第二金属氧化物层是由一偏压等离子体氧化技术所制造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510351475.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
