[发明专利]一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池表面钝化层及钝化方法有效
申请号: | 201510351810.6 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN104992988B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 沈辉;李圣浩;但易 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司44104 | 代理人: | 李海波,刘艳丽 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池的表面钝化层,所述的表面钝化层为设置在晶体硅太阳电池前表面和/或背表面的具有电介质‑金属‑电介质结构的复合薄膜叠层钝化层,所述的复合薄膜叠层钝化层包括第一层介质薄膜、第二层介质薄膜以及设于第一层介质薄膜和第二层介质薄膜之间的金属薄膜中间层。该表面钝化层具有电介质‑金属‑电介质的叠层结构,可以实现载流子向介质层注入,在具有良好钝化效果的同时实现了表面钝化结构的电流传输功能。还公开了利用增强导电性的表面钝化层实现晶体硅太阳电池表面钝化的方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 良好 导电 性能 晶体 太阳电池 表面 钝化 方法 | ||
【主权项】:
一种具有良好导电性能的晶体硅太阳电池的表面钝化层,其特征是:所述的表面钝化层为设置在晶体硅太阳电池前表面和/或背表面的具有电介质‑金属‑电介质结构的复合薄膜叠层钝化层,所述的复合薄膜叠层钝化层包括第一层介质薄膜、第二层介质薄膜以及设于第一层介质薄膜和第二层介质薄膜之间的金属薄膜中间层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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