[发明专利]半导体结构

摘要

本发明公开一种半导体结构。该半导体结构适用于在高压环境下进行操作。根据本发明的一方面，此种半导体结构包括基板、栅极、源极区、漏极区以及场调整结构。栅极设置在基板上。源极区和漏极区设置在基板中，并分别位于栅极的相对侧。场调整结构设置在基板上，并位于源极区和漏极区的其中一者的外侧。场调整结构包括一第一部分和一第二部分。第二部分设置在第一部分的外侧。第一部分连接至栅极。第二部分连接至所述源极区和漏极区的其中一者。

主权项

1.一种半导体结构，包括：基板；栅极，设置在所述基板上；源极区和漏极区，设置在所述基板中，并分别位于所述栅极的相对侧；以及场调整结构，设置在所述基板上，并位于所述源极区和所述漏极区的其中一者的外侧，所述场调整结构包括一第一部分和一第二部分，所述第二部分设置在所述第一部分的外侧，所述第一部分连接至所述栅极，所述第二部分连接至所述源极区和所述漏极区的所述其中一者，其中所述场调整结构也位于所述源极区和所述漏极区的另一者的外侧，且所述场调整结构还包括另一第一部分和另一第二部分，所述另一第二部分设置在所述另一第一部分的外侧，所述另一第一部分连接至所述栅极，所述另一第二部分连接至所述源极区和所述漏极区的所述另一者。