[发明专利]氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510352936.5 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105161583A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 于浩;赵玉娟;甘君锋;尹宝堂;汤献忠 | 申请（专利权）人： | 广西盛和电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 535000 广西壮族自治区钦*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光技术领域，具体涉及氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法；包括依次层叠设置的蓝宝石衬底层、氮化嫁缓冲层、非掺杂氮化嫁层、N型氮化嫁层、多个周期对的AlGaN/InGaN多量子阱层、P型铝镓氮层、P型氮化镓层及渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层，所述渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层为组分均匀渐变的(AlxIn1-x)yGa1-yN四元合金层；本发明可减少对紫外光的吸收，提高发光效率，并且禁带宽度逐渐减少，同时降低了元器件的工作电压，延长了元器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 紫外 半导体 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
氮化嫁基紫外半导体发光二极管，其特征在于：包括依次层叠设置的蓝宝石衬底层、氮化嫁缓冲层、非掺杂氮化嫁层、N型氮化嫁层、多个周期对的AlGaN/InGaN多量子阱层、P型铝镓氮层、P型氮化镓层及渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层，所述渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层为组分均匀渐变的(AlxIn1‑x)yGa1‑yN四元合金层。
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