[发明专利]集成电路封装有效
申请号: | 201510352969.X | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN105374761B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 張晋强;郑道 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/14 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种集成电路,包括:金属层、基底、集成电路芯片和集成电路填充层。其中基底形成于金属层之上,集成电路芯片形成于基底之上,以及集成电路填充层形成于集成电路芯片的周围。其中金属层上具有至少一条第一蚀刻线,用于把金属层分开为多个金属层区域,该至少一条第一蚀刻线在金属层和基底中形成至少一条半切线或至少一条全切线。本发明实施例,通过蚀刻线将金属层分为多个金属层区域,从而能够释放应力,解决脱层问题。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 封装 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路封装,其特征在于,包括:金属层,具有至少一条第一蚀刻线,用于把所述金属层分开为多个金属层区域,其中所述金属层包括:相对设置的第一表面和第二表面;基底,形成于所述金属层的第二表面之上;集成电路芯片,形成于所述基底之上;以及集成电路填充层,形成在所述集成电路芯片的周围;其中,至少一条半切线从所述金属层的第一表面贯穿至所述金属层的第二表面并继续贯穿至所述基底的一部分中,以使整个所述金属层分开以及使所述基底的部分分开,并且所述至少一条半切线由所述至少一条第一蚀刻线形成;其中,所述至少一条第一蚀刻线在所述集成电路芯片的下方延伸其中,在横截面示图中,所述至少一条第一蚀刻线在所述金属层中的部分的侧壁与所述至少一条第一蚀刻线对应地在所述基底中的部分的侧壁对齐。
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