[发明专利]低杂质浓度半绝缘GaN单晶及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 201510353379.9 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105442045A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王建峰;张育民;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/02;C30B31/06;H01L21/205;H01L21/22;H01L21/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低杂质浓度半绝缘GaN单晶及其制备方法与应用。所述半绝缘GaN单晶中掺杂有深受主杂质以及浅施主元素和/或浅受主元素，所述深受主杂质的掺杂浓度低于1e17cm-3，所述浅施主元素和/或浅受主元素的总掺杂浓度小于或等于深受主杂质掺杂浓度的1/2。本发明通过降低非故意掺杂的背底杂质浓度，从而只需要较少的深受主杂质就可以实现GaN材料的半绝缘特征(室温电阻在106ohm-cm以上)，进而可以有效减少杂质浓度过高时GaN材料内部深受主杂质的团聚，并降低由过量深受主杂质引起的GaN生长过程中产生的孔洞等缺陷的密度，同时还使所获GaN单晶具有较为理想的光学特性，可广泛应用于各类半导体器件中，并有效提升其工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质 浓度 绝缘 gan 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种低杂质浓度半绝缘GaN单晶，其特征在于所述半绝缘GaN单晶中掺杂有深受主杂质以及浅施主元素和/或浅受主元素，所述深受主杂质的掺杂浓度低于1e17cm‑3，所述浅施主元素和/或浅受主元素的总掺杂浓度小于或等于深受主杂质掺杂浓度的1/2。
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