[发明专利]一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液

摘要

本发明提供了一种单晶硅刻蚀方法及刻蚀液。所述的刻蚀方法首先在单晶硅片表面通过热氧化方法生长一层氧化硅，再通过光刻方法在单晶硅片表面形成待刻蚀图形，随后将单晶硅片上待刻蚀图形表面的氧化硅腐蚀干净，之后将单晶硅片浸入加热后的单晶硅刻蚀液中完成刻蚀。所述的刻蚀液为组合物，包括四甲基氢氧化铵、曲拉通、异丙醇和水。所述的刻蚀对象为单晶硅（100）。通过本发明的单晶硅刻蚀液及刻蚀方法获得的凸角侧蚀与刻蚀深度比可达0.39，刻蚀表面粗糙度为1.27nm。通过调节本发明的刻蚀液的各组分含量能有效控制刻蚀形貌，实现高精度微结构加工。本发明的单晶硅刻蚀液具有与CMOS兼容、可精确控制刻蚀深度、低毒性、低污染的优点。

主权项

一种单晶硅刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：(a).在单晶硅片表面采用热氧化方法生长一层1μm厚度的氧化硅，之后在氧化硅表面涂覆光刻胶，获得待刻蚀的单晶硅片；(b).在待刻蚀的单晶硅片的表面通过光刻方法刻制图形，图形线条深度大于光刻胶的厚度，去除图形上的光刻胶；(c).将步骤(b)获得的单晶硅片浸入氢氟酸和氟化铵配比为1:4的溶液中，去除图形上的氧化硅；(d).将步骤(c)获得的单晶硅片，先浸入丙酮，去除单晶硅片上图形以外区域的光刻胶，随后取出，浸入乙醇去除单晶硅片表面残留的丙酮，最后取出，用去离子水清洗；(e).将步骤(d)获得的单晶硅片浸入5%的氢氟酸溶液1~3分钟，去除单晶硅片表面图形的自然氧化层，保留图形以外区域的氧化硅，随后取出，用去离子水清洗、干燥；(f).将刻蚀液置于聚四氟乙烯容器中，采用水浴加热法将容器中的刻蚀液温度控制在70℃~80℃；(g).将步骤(e)获得的单晶硅片浸入步骤(f)水浴加热后的刻蚀液中，刻蚀时间2 ~3小时，随后取出，用去离子水清洗、干燥。