[发明专利]一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201510353518.8 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104931163B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘同庆 | 申请（专利权）人： | 无锡芯感智半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214064 江苏省无锡市滨湖区十八*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种双SOI结构MEMS压力传感器芯片及其制备方法，所述压力传感器芯片包括第一SOI结构，构成压力传感器的衬底和压力敏感膜，第二SOI结构为表层SOI结构，包括通过生长绝缘隔离介质，在绝缘介质上淀积掺杂α‑硅作为压敏电阻材料，通过刻蚀组成惠斯通电桥结构，该第二SOI结构，取代常规的PN结隔离模式，提高了传感器芯片的工作温度范围。本发明涉及的双SOI结构高温MEMS压力传感器芯片适合大批量生产，一致性好，量程精确、芯片尺寸小、耐高温、可靠性高、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制备 惠斯通电桥结构 压力传感器芯片 压敏电阻材料 传感器芯片 压力传感器 压力敏感膜 绝缘隔离 绝缘介质 一致性好 常规的 耐高温 衬底 淀积 刻蚀 量程 掺杂 生长 生产 | ||
【主权项】：
1.一种制备双SOI结构MEMS压力传感器芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备第一SOI结构；(2)制备第二SOI结构，所述制备第二SOI结构，包括在第一SOI结构的顶层单晶硅压力敏感膜(3)制备第二绝缘隔离介质层(4)，在所述第二绝缘隔离介质层(4)上沉积α‑硅薄膜电阻层(5)；(3)对α‑硅薄膜电阻层(5)进行离子注入掺杂，并刻蚀形成惠斯通电桥，经1000‑1100℃退火；(4)制备互连引线(6)；(5)对第一SOI结构进行背面刻蚀，制备压力参考腔(8)；所述沉积α‑硅薄膜电阻层(5)包括：在第二绝缘隔离介质层(4)上通过540‑580℃低温工艺淀积α‑硅薄膜，该α‑硅薄膜的厚度为0.4～1微米，所述α‑硅薄膜的厚度与所述第二绝缘隔离介质层(4)的厚度比为1:2‑4，以形成良好的应力匹配。
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