[发明专利]超高频功率变换器的3D集成架构有效

专利信息
申请号: 201510353635.4 申请日: 2015-06-24
公开(公告)号: CN104934209B 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 周嫄;任小永;张之梁;邹学文;余凤兵 申请(专利权)人: 广州金升阳科技有限公司;南京航空航天大学
主分类号: H01F37/00 分类号: H01F37/00;H01F27/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510663 广东省广州市萝*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种超高频功率变换器的3D集成架构,包括PCB电路层和架设于PCB电路层上面的绕组单元,该绕组单元与PCB电路层通过导线连接,该绕组单元包括形成于第一绝缘层上的绕组层和形成于第二绝缘层上的第一软磁薄膜层,该第一软磁薄膜层叠置于绕组层的下面,用以实现绕组层与PCB电路层之间的磁场屏蔽。与现有技术相比,本发明利用3D集成,减小变换器的体积,提高功率密度;并利用软磁材料构成磁屏蔽层,解决了绕组与PCB电路层、绕组与外部金属之间的磁场干扰问题,增大绕组的Q值,减小电感和变压器的交流电阻和高频损耗,提高变换器的工作效率;还利用平面磁性元件,保证了产品的小型化和扁平化。且磁性元件的温升大大减小,改善半导体器件的工作环境。
搜索关键词: 超高频 功率 变换器 集成 架构
【主权项】:
一种超高频功率变换器的3D集成架构,其特征在于:包括PCB电路层和架设于PCB电路层上面的绕组单元,该绕组单元与PCB电路层通过导线连接,该绕组单元包括形成于第一绝缘层上的绕组层和形成于第二绝缘层上的第一软磁薄膜层,该第一软磁薄膜层叠置于绕组层的下面,用以实现绕组层与PCB电路层之间的磁场屏蔽,该绕组层为平面空芯结构;所述绕组单元由PCB电路层投影面内间隔分布的两个单元构成,分别为电感绕组单元和变压器绕组单元;所述导线为柱形的刚性导线,该刚性导线立于绕组单元与PCB电路层之间,用以实现绕组单元与PCB电路层的电连接,并将绕组单元架设于PCB电路层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州金升阳科技有限公司;南京航空航天大学,未经广州金升阳科技有限公司;南京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510353635.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top