[发明专利]自举电路

摘要

一种自举电路，该自举电路包括N沟道MOS晶体管和限流部件，该N沟道MOS晶体管包括：第一N型半导体层，该第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；P型半导体层，该P型半导体层形成在所述第一N型半导体层的一表面上；第二N型半导体层，该第二N型半导体层形成在所述P型半导体层的一表面上；第一电极，该第一电极电连接至所述P型半导体层；第二电极，该第二电极电连接至所述第二N型半导体层；以及电源端子，该电源端子连接至所述第一电极和所述第二电极中的每一个，以向其提供电源电压，所述N沟道MOS晶体管向所述自举电容器供电，该限流部件连接在所述电源端子与所述第一电极之间。

主权项

一种自举电路，所述自举电路包括：N沟道MOS晶体管和限流部件，所述N沟道MOS晶体管包括：第一N型半导体层，所述第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；P型半导体层，所述P型半导体层形成在所述第一N型半导体层的一表面上；第二N型半导体层，所述第二N型半导体层形成在所述P型半导体层的一表面上；第一电极，所述第一电极电连接至所述P型半导体层；第二电极，所述第二电极电连接至所述第二N型半导体层；以及电源端子，所述电源端子连接至所述第一电极和所述第二电极中的每一个，以向其提供电源电压，所述N沟道MOS晶体管向所述自举电容器供电，所述限流部件连接在所述电源端子与所述第一电极之间。