[发明专利]绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法有效
| 申请号： | 201510354289.1 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105226086B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | C·P·桑道;F·J·涅德诺斯塞德;V·范特里克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件、半导体器件和用于形成所述器件的方法。绝缘栅双极晶体管器件100包括半导体衬底，该半导体衬底包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管器件100包括第一纳米线结构120和第一栅极结构130。绝缘栅双极晶体管结构的第一纳米线结构120被连接至漂移区域112。进一步地，绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构130沿着第一纳米线结构120的至少一部分延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极晶体管 纳米线结构 半导体器件 漂移区域 栅极结构 衬底 半导体 方法实施 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管器件(100)，包括：半导体衬底，包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域(112)；所述绝缘栅双极晶体管结构的第一纳米线结构(120)，被连接至所述漂移区域(112)；以及所述绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构(130)，沿着所述第一纳米线结构(120)的至少一部分延伸。
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