[发明专利]含功率晶体管单元和横向晶体管的半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201510354653.4 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105226020B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | R·津克;S·德克尔;S·兰泽斯托费 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及含功率晶体管单元和横向晶体管的半导体器件及制造方法。通过热氧化形成对第一沟槽和第二沟槽(191,192)进行加衬的场氧化物层(240)，所述第一沟槽和所述第二沟槽(191,192)从主表面(101a)延伸到半导体层(100a)中。在所述热氧化之后，在所述第一沟槽和所述第二沟槽(191,192)中形成功率晶体管单元(TCP)的沟槽栅极电极(155)和场电极(165)。形成包括氮化硅层(448)的保护盖(450)，所述保护盖覆盖具有所述第一沟槽和所述第二沟槽(191,192)的单元区域(610)。在利用所述保护盖(450)覆盖所述单元区域(610)的情况下，在所述半导体层(100a)的支持区域(620)中形成横向晶体管(TCL)的平面栅极电极(158)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 单元 横向 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过热氧化形成对第一沟槽和第二沟槽(191,192)进行加衬的场氧化物层(240)，所述第一沟槽和所述第二沟槽(191,192)从主表面(101a)延伸到半导体层(100a)中；在所述热氧化之后，在所述第一沟槽和所述第二沟槽(191,192)中形成功率晶体管单元(TCP)的场电极(165)和沟槽栅极电极(155)；形成保护盖(450)，所述保护盖包括氮化硅层(448)并且覆盖包括所述第一沟槽和所述第二沟槽(191,192)的单元区域(610)；以及在利用所述保护盖(450)覆盖所述单元区域(610)的情况下，在所述半导体层(100a)的支持区域(620)中形成横向晶体管(TCL)的平面栅极电极(158)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510354653.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
