[发明专利]一种多晶硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510354799.9 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106298494B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 赵连国;彭坤;呼翔;王海莲;陈文甫;罗登贵;王峰;朱建校;徐培明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅刻蚀方法，包括以下步骤：S1：在多晶硅层表面形成SiN层，并刻蚀所述SiN层使其图形化，得到SiN硬掩膜层；S2：在所述SiN硬掩膜层周围未被刻蚀彻底的SiN残留颗粒与所述多晶硅层之间形成氧化层；S3：采用湿法腐蚀去除所述氧化层，使所述SiN残留颗粒因悬空而脱离所述多晶硅层；S4：以所述SiN硬掩膜层作为掩模对所述多晶硅层进行刻蚀。本发明避免了因氮化硅残留颗粒的遮挡阻碍后续多晶硅刻蚀，极大地降低了多晶硅残留缺陷的产生。本发明的多晶硅刻蚀方法无需增加光刻次数，对后续工艺几乎没有影响，并且成功避免了使用传统DARC作为硬掩膜的不足，也成功减少了SiN作为硬掩膜带来的多晶硅残留缺陷，可以有效提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在多晶硅层表面形成SiN层，并刻蚀所述SiN层使其图形化，得到SiN硬掩膜层；S2：在所述SiN硬掩膜层周围未被刻蚀彻底的SiN残留颗粒与所述多晶硅层之间形成氧化层；S3：采用湿法腐蚀去除所述氧化层，使所述SiN残留颗粒因悬空而脱离所述多晶硅层；S4：以所述SiN硬掩膜层作为掩模对所述多晶硅层进行刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510354799.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的制造方法
- 下一篇：半导体元件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
