[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201510355042.1 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106298669A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;何其暘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；形成位于半导体衬底表面的栅介质层和覆盖栅介质层的第一栅电极层；形成覆盖所述栅介质层和第一栅电极层侧壁的侧墙；形成位于侧墙两侧的半导体衬底内的源极和漏极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极，但暴露出第一栅电极层表面；去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层；形成第二栅电极层后，去除所述牺牲层；形成覆盖第二栅电极层、侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极的层间介质层；形成贯穿层间介质层的多个开口和位于所述开口内，与第二栅电极层、源极和漏极相接触的导电插塞。避免了漏电流的产生，形成的半导体器件的性能优越。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；形成位于所述半导体衬底表面的栅介质层和覆盖所述栅介质层的第一栅电极层；形成覆盖所述栅介质层和第一栅电极层侧壁的侧墙；形成分别位于所述侧墙两侧的半导体衬底内的源极和漏极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖部分侧墙侧壁、半导体衬底表面、源极和漏极，但暴露出第一栅电极层顶部表面；去除部分厚度的第一栅电极层，形成第二栅电极层；形成第二栅电极层后，去除所述牺牲层；形成覆盖第二栅电极层、侧墙、半导体衬底表面、源极和漏极的层间介质层；形成贯穿所述层间介质层的多个开口，所述开口暴露出第二栅电极层、源极和漏极；形成位于所述开口内，与第二栅电极层、源极和漏极相接触的导电插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
