[发明专利]低温多晶硅TFT基板结构的制作方法及低温多晶硅TFT基板结构

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板结构的制作方法及低温多晶硅TFT基板结构。本发明的低温多晶硅TFT基板结构的制作方法，通过在驱动TFT区域的缓冲层下方设置有规律且大小一致的导热绝缘层图案，使其在后续准分子激光退火处理过程中吸收热量，从而使非晶硅的冷却速度加快，形成晶核，并在退火过程逐渐生长，由于导热绝缘层具有有规律且大小一致的图案，从而使驱动TFT区域形成的多晶硅的晶粒具有较好的一致性，且晶粒相对较大，保证了驱动TFT的电性一致性。本发明的低温多晶硅TFT基板结构，驱动TFT区域的缓冲层下方设置有有规律且大小一致的导热绝缘层图案，驱动TFT区域的多晶硅的晶粒一致性较好，且晶粒相对较大，驱动TFT的电性一致性较好。

主权项

一种低温多晶硅TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，所述基板(1)包括开关TFT区域与驱动TFT区域，在所述基板(1)上沉积导热绝缘薄膜，并对所述导热绝缘薄膜进行图案化处理，得到位于所述驱动TFT区域的导热绝缘层(10)；步骤2、在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)，所述缓冲层(2)覆盖所述导热绝缘层(10)；步骤3、在所述缓冲层(2)上沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行图案化处理，得到位于所述开关TFT区域的第一非晶硅段(31)、及位于所述驱动TFT区域的第二非晶硅段(32)；步骤4、对所述第一非晶硅段(31)、第二非晶硅段(32)进行准分子激光退火处理，使所述第一非晶硅段(31)、第二非晶硅段(32)结晶，分别转变为第一多晶硅段(301)、第二多晶硅段(302)；步骤5、在所述缓冲层(2)上沉积层间绝缘层(4)，所述层间绝缘层(4)覆盖所述第一多晶硅段(301)、第二多晶硅段(302)；步骤6、在所述层间绝缘层(4)上沉积金属层，并对所述金属层进行图案化处理，分别对应所述第一多晶硅段(301)、第二多晶硅段(302)的上方形成第一栅极(51)与第二栅极(52)；所述导热绝缘层(10)的图案为均匀分布且大小一致的圆形、或方形。