[发明专利]鳍状晶体管与鳍状晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201510355085.X | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN106328526A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 许智凯;洪裕祥;傅思逸;郑志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种鳍状晶体管与鳍状晶体管的制作方法。该鳍状晶体管，包含一基底，其上定义有多条鳍状结构，一栅极结构横跨各个鳍状结构以及二外延层分别设置于栅极结构的两侧，其中各个外延层的一上表面包含一第二凹凸轮廓，一接触插塞接触第二凹凸轮廓，第二凹凸轮廓可使得接触插塞和外延层的接触面积增加。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍状晶体管的制作方法，包含：提供一基底其上定义有多条鳍状结构，一浅沟槽隔离设置于相邻的该鳍状结构之间以及一栅极结构横跨该多个鳍状结构；蚀刻未被该栅极结构覆盖的该多个鳍状结构和未被该栅极结构覆盖的该浅沟槽隔离，直至完全移除该浅沟槽隔离并且在该基底上形成一第一凹凸轮廓；以及在该第一凹凸轮廓上形成一外延层，其中该外延层具有一上表面，该上表面包含一第二凹凸轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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