[发明专利]一种混合键合金属突出界面的处理方法在审
申请号: | 201510355711.5 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN105047603A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 梅绍宁;程卫华;陈俊;朱继锋 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/311 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 陈薇 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种混合键合金属突出界面的处理方法。包括如下步骤:提供一待处理晶圆,晶圆表面形成有一氮化硅层,在氮化硅层上淀积一薄膜层;涂布光刻胶覆盖薄膜层的上表面,依次采用光刻、刻蚀方法于薄膜层和氮化硅层中形成沟槽;利用金属沉积方法淀积金属填充沟槽并覆盖薄膜层上表面;利用化学机械研磨方法去除薄膜层表面的金属铜及部分的薄膜层,确保沟槽上方的金属铜全部被去除;对薄膜层进行刻蚀,得到薄膜层与金属之间的金属突出界面;继续刻蚀,刻蚀止于氮化硅层,得到氮化硅层与金属之间的金属突出界面。本发明可以解决由于绝缘物质的硬度带来的,由化学机械研磨无法制造金属突出键合表面的困难,具有良好的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 混合 金属 突出 界面 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种混合键合金属突出界面的处理方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,提供一待处理晶圆,所述晶圆表面形成有一氮化硅层,在所述氮化硅层上淀积一薄膜层;步骤二,涂布光刻胶覆盖所述薄膜层的上表面,依次采用光刻、刻蚀方法于所述薄膜层和氮化硅层中形成沟槽;步骤三,利用金属沉积方法淀积金属填充所述沟槽并覆盖所述薄膜层上表面;步骤四,利用化学机械研磨方法去除所述薄膜层表面的金属铜及部分的薄膜层,确保所述沟槽上方的金属铜全部被去除;步骤五,对所述薄膜层进行刻蚀,得到所述薄膜层与金属之间的金属突出界面;继续刻蚀,刻蚀止于所述氮化硅层,得到所述氮化硅层与金属之间的金属突出界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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