[发明专利]终端结构制造方法有效
| 申请号： | 201510355846.1 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106298537B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲;马万里;李理 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 娄冬梅;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种终端结构制造方法，包括：在外延层表面上形成多个环形阻挡层；进行第一次离子注入并驱入，形成第一漂移区、以及位于相邻第一漂移区之间的场限环；去除所述环形阻挡层；在器件表面形成光刻胶，去除位于预先定义的源区上方和位于所述第一漂移区上方的部分区域内的所述光刻胶，进行第二次离子注入，第二次离子注入的类型为第二导电类型，形成所述器件的源区和与所述第一漂移区交替排布的第二漂移区。本发明提供的终端结构制造方法，制造工艺简单，成本低廉，可以有效降低终端区表面电场，从而提高终端区耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种终端结构制造方法，其特征在于，包括：在外延层表面上形成阻挡层，对所述阻挡层进行刻蚀，形成多个环形阻挡层；进行第一次离子注入并驱入，第一次离子注入的类型为第一导电类型，形成位于所述多个环形阻挡层下方的外延层表面内的第一漂移区、以及位于相邻所述第一漂移区之间的场限环；去除所述环形阻挡层，按照预设工艺，形成器件的栅极和体区；在器件表面形成光刻胶，去除位于预先定义的源区上方和位于所述第一漂移区上方的部分区域内的所述光刻胶，进行第二次离子注入，第二次离子注入的类型为第二导电类型，形成所述器件的源区和与所述第一漂移区交替排布的第二漂移区，并去除剩余的所述光刻胶；其中，所述第二漂移区是第二导电类型的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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