[发明专利]一种超低衰减大有效面积的单模光纤

摘要

本发明涉及一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层半径R1为4.5～6.5μm，芯层Δ1为‑0.05％～0.10％，芯层外从内向外依次包覆内包层，第一下陷内包层，中间内包层，第二下陷内包层，辅助外包层和外包层，内包层半径R2为8.5～14μm，Δ2为‑0.35％～‑0.12％，第一下陷内包层半径R3为13～22μm，Δ3为‑0.7％～‑0.30％，中间内包层半径R4为14～23μm，Δ4为‑0.40％～‑0.15％；第二下陷内包层半径R5为18～30μm，Δ5为‑0.6％～‑0.25％；辅助外包层半径R6为35～50μm，Δ6为‑0.55％～‑0.15％；外包层为纯二氧化硅玻璃层。本发明不仅衰减低，有效面积大，成缆截止波长小于1530nm，并且具有较好的弯曲损耗、色散性能。

主权项

一种超低衰减大有效面积的单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层的半径R1为4.5～6.5μm，芯层相对折射率差Δ1为‑0.05％～0.10％，芯层外从内向外依次包覆内包层，第一下陷内包层，中间内包层，第二下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述内包层的半径R2为8.5～14μm，相对折射率差Δ2为‑0.35％～‑0.12％，所述第一下陷内包层的半径R3为13～22μm，相对折射率差Δ3为‑0.7％～‑0.30％，中间内包层半径R4为14～23μm，相对折射率差Δ4为‑0.40％～‑0.15％；第二下陷内包层半径R5为18～30μm，相对折射率差Δ5为‑0.6％～‑0.25％；所述辅助外包层的半径R6为35～50μm，相对折射率差Δ6为‑0.55％～‑0.15％；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。