[发明专利]晶体管合成电感

摘要

本发明提供了一种晶体管合成电感，包括隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜。两个跨导放大器分别为一个正跨导放大器与一个负跨导放大器，两个跨导放大器交叉连接构成回转器，回转器把第二跨导放大器的输入电容回转为等效电感。两个电流镜与反馈晶体管构成的电流镜反馈环路跨接在两个跨导放大器的输入端之间，用来减小因输入信号幅度的变化而引起的品质因子Q值的变化。本发明中的晶体管合成电感，当输入信号的幅度变化时，Q值基本保持恒定。具有恒定Q值的晶体管合成电感用于电压控制(电流控制)振荡器中，能够降低振荡器的相位噪声。

主权项

一种晶体管合成电感，其特征在于，包括：隔直流电容，第一跨导放大器，第二跨导放大器，反馈晶体管，第一电流镜，第二电流镜；所述隔直流电容的第一端为晶体管合成电感的输入端，第二端连接第一跨导放大器的输入端，所述第一跨导放大器的输出端与第二跨导放大器的输入端连接，第一跨导放大器的输入端与第二跨导放大器的输出端连接，所述第一跨导放大器为正跨导放大器，所述第二跨导放大器为负跨导放大器，所述两个跨导放大器交叉连接构成回转器，所述回转器能把第二跨导放大器的输入等效电容回转成等效电感，或者把连接在第二跨导放大器的输入端的电容回转成等效电感，所述反馈晶体管与第一电流镜、第二电流镜构成多级电流镜反馈环路，所述反馈晶体管的输入端连接第二跨导放大器的输入端，反馈晶体管的输出端连接第一电流镜的输入端，第一电流镜的输出端连接第二电流镜的输入端，第二电流镜的输出端连接第一跨导放大器的输入端，其中，所述第一跨导放大器由第一双极型晶体管Q1构成，第二跨导放大器由第二双极型晶体管Q2与第三双极型晶体管Q3级联构成；第一双极型晶体管Q1的发射极作为第一跨导放大器的输入端，第一双极型晶体管Q1的集电极为第一跨导放大器的输出端，第一双极型晶体管Q1的基极连接第一可调电压源，第二双极型晶体管Q2的基极为第二跨导放大器的输入端，第二双极型晶体管Q2的集电极连接第三双极型晶体管Q3的发射极，第三双极型晶体管Q3的集电极为第二跨导放大器的输出端并连接第一双极型晶体管Q1的发射极，第二双极型晶体管Q2的发射极接地，第三双极型晶体管Q3的基极连接第二可调电压源，第六MOS型晶体管的漏极连接第一双极型晶体管Q1的集电极，第六MOS型晶体管的源极连接电源电压，第六MOS型晶体管的栅极连接第三可调电压源，第七MOS型晶体管的源极连接电源电压，第七MOS型晶体管的栅极连接第一偏置电压源，第七MOS型晶体管的漏极连接第二双极型晶体管Q2的基极；其中，所述第一电流镜包括第二MOS型晶体管和第三MOS型晶体管，所述第二电流镜包括第四MOS型晶体管和第五MOS型晶体管，所述第二MOS型晶体管的漏极为所述第一电流镜的输入端，所述第三MOS型晶体管的漏极为所述第一电流镜的输出端，所述第四MOS型晶体管的漏极为所述第二电流镜的输入端，所述第五MOS型晶体管的漏极为所述第二电流镜的输出端，所述第四MOS型晶体管源极和所述第五MOS型晶体管的源极连接电源电压，所述第四MOS型晶体管的栅极和所述第五MOS型晶体管的栅极同时连接所述第三MOS型晶体管的漏极，所述第二MOS型晶体管的源极和所述第三MOS型晶体管的源极皆接地，所述第三MOS型晶体管的栅极与所述第二MOS型晶体管的栅极连接，所述第二MOS型晶体管的栅极和漏极连接，所述第二MOS型晶体管的漏极和所述反馈晶体管的输出端同时连接第八MOS型晶体管的漏极，第八MOS晶体管的源极连接电源电压，其栅极连接第二偏置电压源，且所述第八MOS型晶体管的漏极电流等于所述第一电流镜的输入端电流与所述反馈晶体管的输出端电流之和，并保持不变，由于采用所述多级电流镜反馈环路，可以减小输入信号幅度的变化对品质因子Q值的影响。