[发明专利]抗单粒子翻转的加固SRAM电路有效
| 申请号： | 201510357822.X | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN106328189B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杨海钢;李天文;蔡刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了抗单粒子翻转的加固SRAM电路。该加固SRAM电路包括：读写模块、隔离模块、上拉模块和下拉模块。读写模块，用于在字线信号WL为高电平时，对第三节点n3和第四节点n4的数据读出/写入。隔离模块包括：第一隔离单元和第二隔离单元。上拉模块包括：第一上拉单元和第二上拉单元。下拉模块包括：第一下拉单元和第二下拉单元。本发明通过上述四个模块的协同工作，在保证抗单粒子翻转能力的同时保持较快的读写速度，较短的翻转恢复时间以及较低的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 粒子 翻转 加固 sram 电路 | ||
【主权项】：
1.一种抗单粒子翻转的加固SRAM电路，其特征在于，包括：读写模块、隔离模块、上拉模块和下拉模块；读写模块，用于在字线信号WL为高电平时，对第三节点(n3)和第四节点(n4)的数据读出/写入；隔离模块包括：第一隔离单元和第二隔离单元；第一隔离单元包括：第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)，其中，第三PMOS管(MP3)的源极连接至第五节点(n5)；第四PMOS管(MP4)的源极连接至第六节点(n6)；第二隔离单元包括：第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)，其中，第一NMOS管(MN1)的源极连接至第一节点(n1)，第二NMOS管的源极连接至第二节点(n2)；其中，第三PMOS管(MP3)和第一NMOS管(MN1)的漏极、第四PMOS管(MP4)和第二NMOS管(MN2)的栅极，共同连接第三节点(n3)；第三PMOS管(MP3)和第一NMOS管(MN1)的栅极、第四PMOS管(MP4)和第二NMOS管(MN2)的漏极，共同连接至第四节点(n4)；上拉模块包括：第一上拉单元和第二上拉单元；下拉模块包括：第一下拉单元和第二下拉单元；其中，第一上拉单元和第二下拉单元共同作用，用于保持第五节点(n5)和第六节点(n6)其中之一为高电平，其中另一为低电平；第二上拉单元和第一下拉单元共同作用，用于保持第一节点(n1)和第二节点(n2)其中之一为高电平，其中另一为地低电平。
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