[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其既能够防止正向电流导致的元件破坏，又能够抑制特性劣化。半导体装置具有：n型半导体基体，其在主面上定义了元件区和包围元件区的周围的外周区；p型保护环，其配置于外周区，并具有以包围元件区的周围的方式配置于半导体基体的上表面的低浓度p型区、以及杂质浓度高于低浓度p型区且配置于低浓度p型区的内侧的高浓度p型区，高浓度p型区的侧表面和底面被低浓度p型区覆盖而不接触半导体基体的n型区；以及欧姆结电极，其与高浓度p型区形成欧姆结。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：n型半导体基体，其在主面上定义了元件区和包围所述元件区的周围的外周区；p型保护环，其配置于所述外周区内，并具有低浓度p型区和高浓度p型区，且所述高浓度p型区的侧表面和底面被所述低浓度p型区覆盖而使所述高浓度p型区不接触所述半导体基体的n型区，其中，该低浓度p型区以包围所述元件区的周围的方式配置于所述半导体基体的上表面，该高浓度p型区的杂质浓度高于所述低浓度p型区且该高浓度p型区配置于所述低浓度p型区的内侧；肖特基结电极，其配置于所述元件区的上表面，且与所述半导体基体形成肖特基结；以及欧姆结电极，其配置于所述肖特基结电极的上表面，与所述高浓度p型区形成欧姆结。