[发明专利]一种功率器件结终端及其制作方法

摘要

本发明公开了一种功率器件结终端及其制作方法，该方法包括：在硅片的第一导电类型的外延层内形成具有重掺杂第二导电类型的主结区、具有轻掺杂第二导电类型的耗尽区和具有第一导电类型的截止环，耗尽区位于主结区与截止环之间，耗尽区与主结区相连通，耗尽区与截止环不连通，在第一导电类型的外延层上制备厚层氧化硅层，对厚层氧化硅层进行刻蚀，露出部分主结区和部分截止环，在厚层氧化硅层上制备高阻多晶硅层，高阻多晶硅层的两端分别与主结区和截止环相接触。通过厚层氧化硅层隔离高阻多晶硅层，防止高阻多晶硅层接触耗尽区和外延层产生电位变化，降低厚层氧化硅层末端的电场强度，提高器件击穿电压，减小分压区域面积，降低器件制造成本。

主权项

一种功率器件结终端制作方法，其特征在于，包括：在硅片的第一导电类型的外延层内形成具有重掺杂第二导电类型的主结区、具有轻掺杂第二导电类型的耗尽区和具有第一导电类型的截止环，所述耗尽区位于所述主结区与所述截止环之间，所述耗尽区与所述主结区相连通，所述耗尽区与所述截止环不连通；在所述外延层上制备厚层氧化硅层；对所述厚层氧化硅层进行刻蚀，至少露出部分所述主结区和部分所述截止环；在所述刻蚀完后厚层氧化硅层上制备高阻多晶硅层，所述高阻多晶硅层与所述主结区和所述截止环相接触。