[发明专利]一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510359744.7 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104993052B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 仪明东;舒景坤;解令海;李雯;胡波;杨洁;王涛;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于半导体行业存储器技术和生物薄膜技术领域。该存储器包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅/硅基片，所述半导体与第一类栅绝缘层之间从上到下依次有具有多孔结构聚合物薄膜层和纳米结构浮栅层。本发明通过简单的工艺手段改进存储器性能，使其反复擦写可靠性得到很大提升；并且采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 结构 隧穿层 有机 场效应 晶体管 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔结构隧穿层有机场效应晶体管存储器，其特征在于：从上至下依次包括源漏电极、半导体、第二类栅绝缘层、浮栅层、第一类栅绝缘层、栅电极，所述第一类栅绝缘层为二氧化硅或硅基片，所述的第二类栅绝缘层为具有多孔结构聚合物薄膜，所述的浮栅层为纳米结构浮栅层。
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