[发明专利]用于化学蚀刻电介质材料的腔室设备有效
申请号: | 201510362516.5 | 申请日: | 2015-06-26 |
公开(公告)号: | CN105225986B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 陈天发;D·卢博米尔斯基;K·H·弗劳德;S·T·恩古耶;D·帕拉加斯维勒;A·丹;S·陈 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开案的实施方式一般提供一种用于处理腔室的改善基座加热器。所述基座加热器包括控温板和基板接收板,所述控温板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述控温板包括内部区域、外部区域和设置在所述内部区域和所述外部区域之间的连续热扼流器,所述内部区域包括第一组加热元件,所述外部区域包括第二组加热元件,所述外部区域围绕所述内部区域,以及所述基板接收板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述基板接收板的所述第二表面耦接至所述控温板的所述第一表面。所述连续热扼流器使得能够在所述内部区域和所述外部区域之间产生和操纵非常小的温度梯度,从而允许在所述基板的表面上实现中央快速蚀刻轮廓或者边缘快速蚀刻轮廓。 | ||
搜索关键词: | 用于 化学 蚀刻 电介质 材料 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理腔室的基座加热器,所述基座加热器包括:控温板,所述控温板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;所述控温板包括:第一区域,所述第一区域包括第一组加热元件;以及第二区域,所述第二区域包括第二组加热元件,所述第二区域围绕所述第一区域;以及基板接收板,所述基板接收板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,其中所述基板接收板的所述第二表面耦接至所述控温板的所述第一表面,其中连续的环形的热扼流器设置在所述第一区域和所述第二区域之间,其中所述热扼流器是穿过所述控温板的整个厚度形成并且进入所述基板接收板的厚度中的切口,从而使得设置在所述第二区域上方的所述基板接收板的一部分由薄型桥连接至设置在所述第一区域上方的所述基板接收板的一部分,并且其中穿过所述薄型桥形成的钻孔的大小设计成允许基板升降杆通过。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造